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恩智浦發布超耐用XR LDMOS射頻功率晶體管

恩智浦發布超耐用XR LDMOS射頻功率晶體管

六月 08, 2011

最新的XR系列提供一流的耐用性和高性能,無需增加客戶成本


中國上海,2011615日訊--恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.NASDAQNXPI)今日發布了最新"超耐用"系列XR LDMOS射頻功率晶體管,專用于最惡劣的工程環境。XR系列像釘子一樣堅固,可承受工業激光、金屬蝕刻和混凝土鉆孔等惡劣應用環境。憑借恩智浦業界領先的LDMOS技術,XR系列將LDMOS擴展到了目前為數不多的、仍在使用VDMOS和雙極晶體管的某些領域。恩智浦將于本周在美國馬里蘭州巴爾的摩舉行的2011IEEE MTT-S國際微波研討會(IMS2011)上展示其首款XR射頻功率晶體管BLF578XR(展位號420)。

突發和嚴重的負載擾動在某些射頻應用場合極其普遍。射頻功率晶體管應能處理這些擾動,并在多年的使用中不失效或老化。恩智浦在實驗室環境下通過引入負載端失配,將失配程度用電壓駐波比(VSWR)表示,重現了這些負載擾動。多數基站和廣播應用需要"堅固耐用"的射頻功率晶體管,要求能在所有相位承受101的駐波比。"超耐用"BLF578XR可輕易承受1251的駐波比重復測試--這是測試單元目前測得的最高值。這對于某些ISM應用非常關鍵--通常這些場合要求射頻功率晶體管能承受超過1001的駐波比測試。

恩智浦半導體射頻功率產品總監Mark Murphy表示:"我們的新款XR系列具有一流的耐用性,為射頻功率開辟全新的市場,而這在以往是不可想象的。此次失配度測試,BLF578XR承受住了1251的駐波比,測試結果說明了一切。為了進一步展示XR系列的耐用性,我們又重現了多種極端惡劣的工作環境,結果證明BLF578XR的性能沒有受到絲毫影響。我們歡迎射頻功率工程師親自驗證--無論是親臨IMS2011展會、或是觀看我們的堅不可摧'視頻,也可以在他們自己的實驗室中進行驗證。恩智浦作為業界領先的量產供應商,擁有超過15年的市場經驗。此次推出的LDMOS產品不僅性能卓越,還具有VDMOS般堅固耐用,且無需增加客戶成本,必將繼續引領高性能射頻領域的技術進步。"

新款BLF578XR是恩智浦普及型BLF578的超耐用版本,而BLF578則是廣播和ISM等眾多應用中射頻功率晶體管的主力軍。在多數應用場合,BLF578XR可以通過簡易插裝來替代BLF578。

技術特點

BLF578XR采用恩智浦最先進的LDMOS技術制造,專為需要極堅固耐用性的應用場合而設計。

· 頻率范圍:0-500MHz

· 增益: 24dB225MHz

· 效率:70%225MHz

· VSWR: 125:1(1200W所有相位)

· 峰值輸出功率: 1400W (脈沖)

· 熱增強: 0.14K/W

上市時間

恩智浦BLF578XR樣片已面世,并將于2011年第三季度量產。更多信息,請訪問:http://www.nxp.com/pip/BLF578XR.html

鏈接

· 堅不可摧的LDMOS BLF578XR(視頻)

· 恩智浦BLF578XR產品信息

· 恩智浦廣播與ISM用高性能射頻功率放大器

· 恩智浦射頻手冊

關于恩智浦HPRF

恩智浦是高性能射頻(HPRF)領域當之無愧的領軍企業,每年的射頻器件出貨量超過40億件。從衛星接收器、蜂窩基站、廣播發射機到ISM(工業、科學和醫療)、航空與國防應用,恩智浦在高性能混合信號IC產品方面遙遙領先,更是高速轉換器SERDES串行接口領域公認的領導者。恩智浦提供類型廣泛的高速數據轉換器產品,包括JESD204A標準CGV、CMOS LVCOMSLVDS DDR接口。這些高速轉換器適用于無線基礎設施、工業、科學、醫療、航空與國防等應用。



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