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恩智浦推出業界首款采用LFPAK56 (Power SO-8)封裝的雙極性晶體管

恩智浦推出業界首款采用LFPAK56 (Power SO-8)封裝的雙極性晶體管

二月 13, 2014

中國上海,2014213日訊 –恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼: NXPI)今日推出首款采用5 mm x 6 mm x 1 mm超薄LFPAK56 (SOT669) SMD電源塑封的雙極性晶體管。新組合由660 V100 V低飽和晶體管構成,集極電流最高為3 A (IC),峰值集極電流(ICM)最高為8 A。新型晶體管的功耗為3 W (Ptot),VCEsat值也很低——其散熱和電氣性能不亞于采用大得多的電源封裝(如DPAK)的雙極性晶體管,其占用面積也減少了一半。

恩智浦LFPAK封裝采用實心銅夾片和集極散熱片設計,這是實現如此之高功率密度的基礎,因為這種設計大幅降低了封裝的電阻和熱阻。LFPAK同時還消除了眾多競爭DPAK產品中使用的焊線,使恩智浦得以大幅提高機械堅固度和可靠性。

新款LFPAK56雙極性晶體管經過AEC-Q101認證,適用于多種汽車應用,最高支持175°C的環境溫度。這些新型低VCEsat晶體管還可用于背光、電機驅動和通用電源管理等應用。今年,新的雙極性晶體管組合將不斷推出新品,包括采用LFPAK56D封裝的雙晶體管以及采用LFPAK56封裝的6 A、10 A15 A高電流型號。

恩智浦半導體晶體管部產品經理Joachim Stange表示:我們相信,恩智浦LFPAK封裝將成為雙極性晶體管領域緊湊式電源封裝的標準——就如恩智浦LFPAK如今成為MOSFET行業標桿一樣。汽車市場尤其需要采用這種封裝的雙極性晶體管,這為開發出小尺寸、高功率密度和高效率的模塊奠定了基礎。



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