本文對雙向可控硅中的過零檢測進行了翔實的介紹，經過圖文結合的方法對過零檢測的電路及兩點電壓輸出波形別離進行了解說。關于雙向可控硅感興趣或對過零檢測有疑問的朋友無妨花上幾分鐘來閱讀本文，信任必定會有意想不到的收獲。 在進行溝通無觸點規劃時，人們偏心運用雙向可控硅。這主要是由雙向可控硅的特色決定的，雙向可控硅不只控制電路簡略，也沒有反向耐壓額顧忌，因而才干如此適合于溝通無觸點規劃。溝通無觸點規劃在大型強電流的產品中應用較多，因而雙向可控硅需要在強電網絡中運轉，這就使得其對攪擾的抵抗性變得尤為重要，為了最低程度的減小攪擾，常用過零觸發電路來進行雙向可控硅電路的觸發。 在本文傍邊，小編將為大家介紹雙向可控硅中的過零檢測電路。

圖1過零檢測電路 電路規劃如圖1所示，為了提高功率，使觸發脈沖與溝通電壓同步，要求每隔半個溝通電的周期輸出一個觸發脈沖，且觸發脈沖電壓應大于4V，脈沖寬度應大于20us。圖1中BT為變壓器，TPL521-2為光電耦合器，起隔離效果。當正弦溝通電壓接近零時，光電耦合器的兩個發光二極管截止，三極管T1基極的偏置電阻電位使之導通，發生負脈沖信號，T1的輸出端接到單片機80C51的外部中止0的輸入引腳，以引起中止。在中止效勞子程序中運用定時器累計移相時刻，然后宣布雙向可控硅的同步觸發信號。過零檢測電路A、B兩點電壓輸出波形如圖2所示。

圖2 A、B兩點電壓輸出波形

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